底部籽晶法_一种高温溶液晶体生长新方法

底部籽晶法_一种高温溶液晶体生长新方法 人工晶体学报第 34卷 第 1期Vo .l 34 No. 1 2005 年 2 月 JOURNAL O F SYN TH ET IC CR YSTAL S Feb rua ry, 2005 底部籽晶法 :一种高温溶液晶体生长新方法 徐家跃()中国科学院上海硅酸盐研究所 ,上海 200050 摘要 :为了从高温溶液中生长非一致熔融的单晶材料 ,发展了一种叫做“底部籽晶法 ”的新生长方法 。通过大的垂直温度梯度 ,解决了助熔剂或高温溶液对籽晶的侵蚀问题 ;采用后加热系统 ,有效地控制了晶体的开裂 。采用 ( ) ( ) ( ) 底部籽晶法 ,成功地生长了新型弛豫铁电晶体 12x Pb ZnN bO2x PbTiO0 ?x ?0. 2 、近化学计量比 L iN bO1 / 3 2 / 3 3 3 3 ( ) 晶体以及非线性光学晶体铌酸钾锂 KL iN bO0 < x < 0. 5 。研究表明 ,底部籽晶法是解决高质量非一致 3 22x 5 + x 15 + 2x 熔融晶体生长问题的一种有效途径 。 关键词 : 底部籽晶法 ;化学计量比 ;晶体生长 ;助熔剂 ( ) 文章编号 : 10002985X 2005 0120001 206 中图分类号 : O782文献标识码 : A Bo ttom Seeded So lu t ion Grow th: a Nove l C ry sta l Grow th Techn ique XU J ia 2yue ( )Shangha i In stitu te of Ce ram ic s, Ch inese A cadem y of Sciences, Shangha i 200050 , Ch ina ( )R eceived 11 M ay 2004 ( ) A b stra c t: A nove l c rysta l grow th techn ique, the bo ttom seeded so lu tion grow th B SSG , ha s been deve lop ed fo r c rysta l grow th from h igh temp e ra tu re so lu tion s. A la rge ve rtica l temp e ra tu re grad ien t wa s emp loyed in the B SSG fu rnace to p reven t the seed in the bo ttom of the c ruc ib le from be ing m e lted comp le te ly by the flux o r the so lu tion s. A po st hea ting system wa s de signed to annea l a s2grown c rysta ls in ( ) ( ) ( ) the fu rnace. Fe rroe lec tric re laxo r 1 2x Pb ZnN bO2x PbTiO0 ?x ?0. 2 , sto ich iom e tric L iN bO1 / 3 2 / 3 3 3 3 ( ) and non linea r op tica l c rysta ls KL iN bO0 < x < 0. 5 have been succe ssfu lly grown by the 3 2 2x 5 + x 15 + 2 x B SSG techn ique. The grow th re su lts demon stra te tha t B SSG is a po ten tia l app roach to grow incongruen t single c rysta ls w ith h igh qua lity and la rge size. Key word s: bo ttom seeded so lu tion grow th; sto ich iom e try; c rysta l grow th; flux 1 引言 随着微电子、光电子、移动通讯等高新技术产业的发展 ,对材料的要求越来越高。作为这些高技术产业 的核心材料和基础 ,传统的人工晶体材料越来越难以满足日益提高的器件性能要求。一方面 ,人们通过对传 ()统材料的改造 包括提高晶体完整性 、对晶体进行掺杂改性等 来满足器件需求 ,另一方面 ,很多具有优异性 ( ) ( ) 能的新材料被不断发现和发展 ,如第三代半导体 GaN、SiC、ZnO ,新型弛豫铁电晶体 1 2x Pb ZnN bO21 / 3 2 / 3 3 [ 1 ] ( ) βx PbTiO0 ?x ?0. 2 ,热电半导体 2FeSi,超导体 M gB等 。然而 ,越有个性就越难征服。这些新材料虽 3 2 2 然具有非常优异的性能和巨大的应用前景 ,生长工业应用的体单晶却非常困难。 收稿日期 : 2004 205 211 ( ( )) 基金项目 : 中国科学院重大项目 KY951 2A1 2205 203 和创新前沿项目 ; 上海市自然科学基金重点项目 98JC14017、02DJ14041 ; 国家自然 () ( )科学基金项目 No. 59672002 ;上海市科技启明星资助项目 95Q E14029 ( ) 作者简介 : 徐家跃 1965 2,男 ,江苏省人 ,研究员。E2m ail: c rystalxu@m a il. sic. ac. cn 传统的熔体生长技术 ,如提拉法、水平布里奇曼法、坩埚下降法等 ,主要用来生长单质晶体或一致熔融化合物单晶 。对于非一致熔融化合物 ,通常采用助熔剂方法从高温溶液中生长。助熔剂的加入可以降低晶体 (β) 生长温度 ,从而减少组分的挥发 ,还可以改变熔体的析晶行为 ,获得低温相 如 2BBO 。但是 ,助熔剂的存 在也会带来很多生长问题 ,比如助熔剂对坩埚的侵蚀 、晶体均匀性比较差、晶体容易出现包裹体等 。近年来 , [ 2 25 ] 坩埚下降法在 B iGeO、L iBO、PbWO等多种氧化物晶体的工业化生长方面取得了成功 。因此 ,在开 4 3 12 2 4 7 3 展非线性光学晶体铌酸钾锂 KL iN bO、新型弛豫铁电晶体 PZN T以及近化学计量比 L iN bO晶体的生长3 2 5 15 3 [ 6 28 ] 研究时 ,我们很自然地想到把助熔剂法与坩埚下降法相结合 ,形成了助熔剂 —坩埚下降法 。由于助熔剂 对籽晶具有一定的侵蚀作用 ,采用助熔剂 —坩埚下降法接种非常困难 ,大多数情况下晶体都是自发成核生长 的 ,因此所得晶体质量不高 ,也很难获得大尺寸单晶。为了提高助熔剂 —坩埚下降法所长晶体的质量 ,实现 真正的受控生长 ,我们在助熔剂 —坩埚下降法的基础上 ,发展了一种叫做“底部籽晶法 ”的新生长工艺。 2 底部籽晶法 所谓“底部籽晶法 ”,准确地讲应该叫做底部籽 ( 晶高 温 溶 液 生 长 技 术 the bo ttom seeded so lu tion ) grow th techn ique, B SSG,就是在坩埚底部放入籽晶 , 然后通过缓慢降温或者下降坩埚来实现接种生长。 它把坩埚下降法与助熔剂生长技术巧妙地结合起来。 为了解决助熔剂或高温溶液对籽晶的侵蚀问题 ,我们 对坩埚下降法晶体生长炉进行了较大的改造 ,设计了 一个较大的垂直温度梯度 ,确保接种的成功率。与此 同时 ,大温梯的存在必然会在所长晶体内部形成较大 的热应力 ,从而导致晶体开裂或其他缺陷。为此 , 我 们在低温区增加了一个后加热系统 ,这个系统可以在 图 1 底部籽晶法晶体生长炉示意图晶体生长过程和晶体生长后对所得晶体进行退火处 F ig. 1 Schem a tic d raw ing of the B SSG fu rnace 理 ,从而有效地消除因温度梯度过大而造成的热应力 及晶体开裂 。 图 1给出了底部籽晶法晶体生长炉示意图 。该生长炉由三个温区组成 :高温区、梯度区和低温区。高温区主要用来熔化原料 ,低温区主要起到保温作用 ,同时在晶体生长后期可发挥后加热器的作用 。梯度区处于 高、低温度区之间 ,温度梯度主要由中间隔热层的厚度、材质 、炉体设计等因素决定 ,也可以通过上下温区来 调节。固液界面处的温度梯度是晶体能否成功生长的关键工艺参数 。晶体生长工艺的优化 ,最重要的就是 图 2 SLN 晶体 B SSG法生长轴向温度分布图 F ig. 2 A xia l temp e ra tu re p rofile of the B SSG fu rnace fo r SLN grow th 要找到一个合适的温度梯度。图 2给出了 SLN 晶体 KO 助熔剂生长的轴向温度分布图 。其他晶体的生长 2 炉结构与此相似 ,就不再重复叙述了。 3 PZN T晶体生长 弛豫铁电体是指具有弥散性铁电 —顺电相变的一类特殊铁电体 ,主要有钙钛矿结构和钨青铜结构两大 ( ( ) )类。20 世纪 90 年代中期以来 ,以铌锌酸铅 —钛酸铅 Pb ZnN bO2PbTiO,简称 PZN T为代表 、具有复 1 / 3 2 / 3 3 3 [ 7 , 9 , 10 ] 合钙钛矿结构的新型弛豫铁电单晶 ,以其优异的压电性能引起了人们的极大关注 。其压电系数 d 大33 于 2000pC /N ,机电耦合系数 k超过 90 % ,应变量高达 1. 7 % ,这些性能指标都远远高于目前 B 超和声纳等 33 器件普遍使用的 PZT压电陶瓷材料 ,因此 PZN T等弛豫铁电单晶的使用 ,将带来医疗诊断设备 、水声探测、武 器装备等的革命性变化 。 然而 ,由于高温熔体冷却时优先析出不具有铁电性的烧绿石相 ,因此钙钛矿结构的 PZN T单晶无法直接 从同成份的高温熔体中生长。加入 PbO 助熔剂 ,不仅能够抑制烧绿石相的析出 ,而且可以降低生长温度 ,因 此国际上通常采用助溶剂方法生长不同组成的 PZN T单晶 。由于传统的助熔剂法主要靠自发成核 ,成功率 [ 11 ] 极低 ,有人在坩埚底部设计了一个通气系统来诱导成核生长 。尽管通气法使 PZN T产率有了显著提高 , [ 12 ] 但是气流的波动使晶体内部形成严重的包裹体 ,很难获得高质量的 PZN T单晶 。此外 , Ka rak i等人尝试 [ 13 ] TSSG方法生长 PZN T晶体 ,发现 PbO 蒸汽对籽晶及所长晶体的腐蚀很严重 ,几乎得不到完整晶体 。事实 [ 14 ] 上 ,关于挥发物对晶体的腐蚀现象在 TSSG方法生长的其他晶体中也时有发现 。 为了生长出高质量的 PZN T单晶 ,我们开展了底部籽晶法生长研究 。选择准同型相界成份的 PZN T91 /9 和具有超声医学应用背景的 PZN T93 /7 两种成份 ,按化学计量比配料 ,在 800 ?附近烧料 ,然后与 PbO 助熔 剂按 1 ?1 的摩尔比混合均匀 ,装入铂金坩埚中。坩埚口密封以防止有害的 PbO 组分在高温下挥发。根据 PZN T晶体的生长习性 , 设计了一个温度梯度大于 120 ?/ cm 的垂直温度梯度炉。利用自发成核生长的 PZN T晶块作为籽晶 ,通过工艺参数的优化 ,成功生长了直径 30mm、长度 30 ,45mm 的 PZN T单晶。经检验 , 晶体为单结 晶 ,准确定向和切割后没有发现象通气法那样出现肉眼可见 的生长条纹 。图 3是底部籽晶法生长的 PZN T91 /9单晶 。 由于 PbO 助熔剂对铂金有严重的腐蚀作用 ,很容易造成 坩埚漏料进而导致生长失败 ,这种情形对于 PZN T晶体的底 部籽晶法生长也不例外。适当厚度的坩埚是必要的 ,但这对 工业生长 PZN T晶体来说将大大增加其成本 。相对而言 ,采 图 3 底部籽晶法生长的 PZN T91 /9单晶 用大温梯将显著减少坩埚的损耗 。精确地控温和温场优化是F ig. 3 PZN T91 /9 single c rysta l grown by B SSG m e thod 能够成功生长 PZN T单晶的关键。 4 SLN 晶体生长 ()铌酸锂 L iN bO: LN 晶体是一种具有优良的压电 、铁电 、非线性、电光等性能的多功能晶体材料 ,广泛 3 [ 15 ] 应用于制作声表面波 、电光 、声光 、存储等器件 。然而 ,市售的铌酸锂晶体基本上都是从同成份高温熔体 中生长的一致熔融化合物 ,其准确的 L iO 含量大约为 48. 6mo l% 。这就意味着在这些晶体中存在大量的 2 [ L i ]空位等本征缺陷 ,导致 LN 晶体很容易产生光损伤 ,大大影响了它的光学应用 。近年来 ,化学计量比铌 (() )酸锂晶体 简称 SLN 引起了人们的广泛重视 ,目前 SLN 晶体生长工艺主要有气相传输平衡法 V TE 、双坩 埚提拉法 、助熔剂法和 TSSG法等。其中 , L iO 自助熔剂生长的 SLN 晶体均匀性较难控制 ,而以 KO 为助熔 2 2 [ 16 ] 剂生长的 SLN 晶体 ,通过控制适当的助熔剂配比和最佳的生长条件 ,可以实现最少的本征缺陷 。 ( )高纯原料 L iCO和 N bO按化学计量比称量 ,与一定比例 13 ,19mo l% 的 KO 助熔剂混合 、研磨均 2 3 2 5 2 匀 ,在 800 ?下烧结 12 h以去除 CO,然后在 1050,1140 ?下灼烧 6 h,形成均匀的粉体 。采用一致熔融的铌 2 酸锂晶体作为籽晶 ,在自制的垂直温度梯度炉内 ,开展 SLN 晶体的底部籽晶法生长实验。M a lovichko等人的[ 17 ] () 研究表明 ,添加质量百分含量 6 % K O 约 10. 9mo l% 到 L i O 质量百分含量为 48. 6 %的配料中 ,生长出2 2 - 2 的 LN 晶体几乎测不到 KO ,其 [ K ]的质量百分含量小于 10 % 。尽管 KO 助熔剂几乎完全不进入 SLN 晶 2 2 体 ,但是它显著地改变了析晶行为 ,特别是析晶温度。由于 KO 助熔剂在高温下对 LN 籽晶的侵蚀作用 ,给 2 准确接种带来了很大的麻烦 。其次 ,由于熔体中包含有大量的 KO 助熔剂 ,晶体生长的同时需要不断排出 2 KO ,因此生长速率变得非常缓慢。稍快的生长速率就会造成 KO 包裹体 。图 4 是包裹体缺陷的光学照片。 2 2 这些气泡的直径大约在 0. 3mm 左右 ,通过进一步降低生长速率能够有效地减少包裹体。虽然生长速率非常小 ,但是 B SSG法也和下降法一样 ,可以实现一炉多坩埚生长 ,总体效率还是比较高的 。图 5 是底部籽晶法 生长的 SLN 晶体 。光学性能测试表明 ,该晶体在吸收系数为 20 的吸收边为 306 nm。晶体呈浅黄色 ,而籽晶 由于长期处于缺氧环境下呈现出茶色 ,晶体尾部主要为排出来的KO 助溶剂 。退火后的 SLN 晶体的颜色将2 会变浅 ,甚至无色 。 5 KLN 晶体生长 小型 、高效 、长寿命 、全固体化蓝光激光器在下一代光盘 、高密度光存储 、光通讯、复印、医疗等方面具有 ( )广泛的应用 。铌酸钾锂晶体 KL iN bO,简称 KLN 是四方晶系、钨青铜结构的铁电体 ,具有机械性能和化 3 2 5 15 学稳定性好 、光损耗低、光损伤阈值高等优点 ,是目前综合性能指数最高的蓝光倍频晶体 ,也是最具竞争潜力 () 的蓝光倍频激光晶体材料之一。Ph ilip s公司已成功地将 KLN 晶体应用于半导体 A l, GaA s激光器和掺 Ti [ 18 ] 蓝宝石激光器的激光倍频 ,获得了蓝光输出 。 图 6 KO 2L iO 2N bO三元系统相图截面 2 2 2 5 F ig. 6 Pha se d iagram of the te rna ry system KO 2L iO 2N bOw ith 30mo l% KO 2 2 2 5 2 KL iN bO晶体可以看作是 KN bO和 L iN bO的固溶体 ,其成份变化范围在 0 < x < 0. 5之间。由于组分 3 2 - x 5 + x 15 + 2x3 3 多 ,各种离子的占位比较复杂 , KLN 晶体生长存在诸多问题 ,其主要困难是组分不均匀、晶体开裂和晶体尺寸 小。采用坩埚下降法 ,我们已经生长了 <10mm ×50mm 的 KLN 晶体 ,从晶体尺寸看 ,坩埚下降法不失为 KLN 晶 [ 19 ] 体很有潜力的一种生长方法 ,其缺点是接种成功率太低 。为了获得大尺寸、均匀性好的 KLN 晶体 ,我们在下 降法生长研究的基础上 ,进一步改进炉体结构 ,初步探讨了 KLN 晶体的底部籽晶法生长工艺。 [ 20 ] () Sco tt等人研究了 KO 2L iO 2N bO三元系统相图 见图 6 ,认为在 N bO浓度高于 51mo l%的富 N b 2 2 2 5 2 5 区存在一个宽的钨青铜型固溶体相区。因此在配料时 ,要充分考虑到析晶过程中成份的偏离。我们选择在 (33,35mo l% KO、18 ,20mo l% L iO、45 ,48mo l% N bO范围内采用非化学计量配料 混合料中富 K和 2 2 2 5 ) ( ) L i,可生长出四方钨青铜结构的 KLN 晶体。为了解决组分均匀性问题 ,我们重点采取两方面技术改进 : 1 设计大坩埚熔化原料 ,生长小直径的 KLN 晶体 ,这样可以在保持熔体组分基本不变的情况下生长晶体 ,从而 ( )解决 KLN 晶体的均匀性问题 ; 2 设计连续供料工艺 ,可实现熔体成份基本不变化 。这两个措施既可以单独 采用 ,也可以同时使用。前者比较简单 ,但是生长很长的晶体时成份会有明显变化 ;后者工艺比较复杂 ,主要 困难在于补充原料必须与消耗的成份相匹配 ,原则上该工艺可以更好地控制晶体的组分均匀性 。除了均匀 性外 ,我们还采用 KBN、SBN 等异质材料作为晶种来生长 KLN 晶体 ,主要出于两方面考虑 :一是同质 KLN 籽 晶不容易获得 ,二是 KLN 籽晶容易被高温溶液侵蚀 ,接种比较困难。表 1 给出了 SBN、KBN 和 KLN 晶体的 结构性能比较。其中 SBN 晶体与 KLN 同为四方钨青铜结构 ,晶格常数非常接近且熔点较高 ,接种容易 ,可 以反复使用 ,是底部籽晶法生长 KLN 晶体比较适宜的异质晶种材料。初步研究表明 ,异质晶种在底部籽晶 法生长晶体时是非常有效的 ,主要问题是结构相同 、晶格失配小且熔点略高的晶种比较难找 。 表 1 KL N晶体及其籽晶的基本性能 Ta b le 1 Ba s ic proper t ie s of the KL N an d seed cry sta ls ( )C rystals C rysta l struc tu re L a ttice con stan t nm ) ( ) ( M e ting po in t ?Cu rie temp e ra tu re ? a = 1. 251 KLN Te tragona l 420 ,1050c = 0. 397 a = 1. 243 SBN Te tragona l 1500 250 c = 0. 394 a = 1. 785 KBN O rthogona l 1300 360 c = 0. 784 论6 结 () 底部籽晶法 B SSG是在高温溶液法与助熔剂 —坩埚下降法基础上发展起来的一种新生长方法 ,它的优 ( )()( )点在于 1 可克服在 TSSG法生长中挥发物腐蚀晶体 包括籽晶 的问题 ; 2 可以象坩埚下降法一样 ,实现 ( )一炉多坩埚生长 ; 3 坩埚密封可有效控制组分挥发及其对环境的危害 。当然 , B SSG法也有它自身的困难 和缺点。围绕 B SSG法晶体生长的一系列问题 ,我们针对性地提出了大温度梯度、后加热系统、异质晶种和 连续供料系统等工艺措施 ,在很大程度上克服了助熔剂生长晶体质量差、尺寸小 、难控制等缺点 ,成功地生长 了 PZN T、SLN 和 KLN 晶体。研究表明 , 底部籽晶法是解决高质量非一致熔融晶体生长问题的一种有效 途径。 致谢 :感谢中国科学院上海硅酸盐研究所范世 研究员的很多有益的建议以及童健、陆宝亮、侍敏莉、钱国兴、林雅芳等同志在晶体生长及 相关工作中的贡献 ! 参 考 文 献 ( ) [ 1 ] 徐家跃. 单晶材料的新发展及其对生长技术的挑战 [ J ]. 人工晶体学报 , 2003 , 32 5 : 185 2191. [ 2 ] Fan S, Sheng G, L i J , W ang W. Indu stria l Grow th of L a rge Size B GO Single C rysta ls[ J ]. C rysta l P roperties and P repa ra tion, 1991 , 36 238: 42 2 44. [ 3 ] Xu J iayue, Fan Sh iji, L u B ao liang. Grow th of <4 ″L iBOSingle C rysta ls by M u lti2c ruc ib le B ridgm an M e thod [ J ]. J. C rysta l G row th , 2004 , 264 2 4 7 ( ) 1 23 : 260 2265. ( ) 徐家跃 ,范世 . 氧化物晶体坩埚下降法生长 [ J ]. 人工晶体学报 , 2002 , 31: 3 : 298 2304. [ 4 ] Yang P, L iao J , Shen B , Shao P, N i H , Yin Z, Grow th of L a rge2size C rysta l of PbWOby V e rtica l B ridgm an M e thod w ith M u lti2c ruc ib le s[ J ]. 4 [ 5 ] J. C rysta l G row th, 2002 , 236: 589 2595. Xu J iayue, Fan Sh iji, L in Yafang, Xu Xuewu. Fe rroelec tric Po ta ssium L ith ium N iobate C rysta ls Grown by the V ertica l B ridgm an M e thod [ J ]. [ 6 ] M a teria ls S cience & Eng ineering B , 2001 , 85: 50 254. ( ) Xu J iayue, Tong J ian, Sh i M in li, W u A nhua, Fan Sh iji. F lux B ridgm an Grow th of Pb [ ZnN bTi] OP iezoc ryta ls [ J ]. J. C rysta l 1 /3 2 / 3 0. 93 0. 07 3 [ 7 ] G row th, 2003 , 253: 274 2279. ( ) 陆宝亮 ,徐家跃 ,范世 . 近化学计量比铌酸锂晶体的坩埚下降法生长研究 [ J ]. 硅酸盐学报 , 2004 , 32 3 : 255 2258. [ 8 ] Pa rk S E, Sh rou t. Charac te ristic s of R e laxo r2ba sed P iezoe lectric Single C rysta ls fo r U ltra son ic Tran sduce rs[ J ]. IEEE T ransactions on U ltroson ics, [ 9 ] Ferroelectrics and F requency C on trol, 1997 , 44: 1140 21147. ’ 〃 ) ( [ 10 ] Yam a sh ita Y, H a rada K, Ho sono Y, N a tsum e S, Ich ino se N. Effec ts of B 2site Ion s on the E lec trom echan ica l Coup ling Facto rs of Pb B B O 23 PbTiOP iezoe lec tric M a te ria ls[ J ]. J pn. J. A ppl. Phys. , 1998 , 37: 5288 25291. 3 ( ) H a rada K, Sh im anuk i S, Kobayash i T, Saitoh S, Yam a sh ita Y. C rysta l Grow th and E lec tric P rop e rtie s of Pb [ ZnN bTi]OSingle [ 11 ] 1 / 3 2 /3 0. 91 0. 09 3 ( ) C rysta ls P roduced by So lu tion B ridgm an M ethod [ J ]. J. Am. Ceram. S oc. , 1998 , 81 11 : 2785 22788. ( ) 徐家跃. 弛豫铁电单晶 PZN T生长的几个关键问题 [ J ]. 硅酸盐学报 , 2004 , 32 3 : 14 219. [ 12 ] ) ( Ka rak i T, N akamo to M , A dach i M. Top 2seeded So lu tion Grow th of Pb [ ZnN bTi] OSingle C rysta ls [ J ]. J pn. J. A ppl. Phys. , 1 /3 2 / 3 0. 93 0. 07 3 [ 13 ] 2002 , 41: 6997 26999. ( ) 徐子颉. 挥发物对 BBO 晶体的腐蚀研究 [ J ]. 人工晶体学报 , 2004 , 33 3 : [ 14 ] ( ) 徐家跃 ,陆宝亮 ,夏宗仁. 近化学计量比铌酸锂晶体的研究进展 [ J ]. 人工晶体学报 , 2003 , 32 6 : 112 2116. [ 15 ] M a lovichko G, Grachev V , Sch irm e r O. In terre la tion of In trin sic and Extrin sic D efec ts2congruen t, Sto ich iom e tric and R egu la rly O rde red L ith ium [ 16 ] N ioba te [ J ]. A ppl. Phys. , 1999 , B68 : 785 2793. M a lovichko G, Grachev V G, Yu rchenko L P, P ro shko V Y, Kokanyan E P, Gab rie lyan V T. Imp rovem en t of L iN bOM icro struc tu re by C rysta l 3 [ 17 ] ( ) Grow th w ith Po ta ssium [ J ]. Phys. S ta tus S olid i a , 1992 , 133: K29 232. R e id J J E. R esonan tly Enhanced, F requency Doub ling of an 820 nm GaA lA s D iode L a se r in a Po ta ssium L ith ium N ioba te C rystal[ J ]. A ppl. Phys. [ 18 ] L ett. , 1993; 62: 19 221. 徐家跃. 铌酸钾锂晶体的生长和性能研究 [ D ]. 中国科学院上海硅酸盐研究所博士学位 , 1999. [ 19 ] Sco tt B A , Gie ss E A , O lson B L , B u rn s G, Sm ith A W , O ′Kane D F. The Tungsten B ronze F ie ld in the System KO 2L iO 2N bO[ J ]. M a te ria l 2 2 2 5 [ 20 ] R e sea rch B u lle tin, 1970 , 5: 47 256. 欢迎订阅《半导体技术 》 订阅价目 : () 12期 一年 ,平邮 : 120元 ( ) 方法 : 1 邮局订阅 :全国各地邮局均可订阅 ,邮发代号 : 18 - 65; ( ) 2 电话或上门订阅 :如果您错过了订阅时间 ,请直接与读者服务部联系订阅事宜 ; 联系电话 : 0755 - 83683934 , 83683618 - 2005 订阅方法 : 邮局汇款 :深圳市深南中路 2070 号 银行转账 : ( ) 电子科技大厦 C座 35 层 B 2室 96号信箱 开户行 :招商银行深圳市中电支行邮编 : 518031 户名 :深圳市亚科希信息顾问有限公司 收款人 :深圳市亚科希信息顾问有限公司 账号 : 8281987410001 联系我们 : 亚科希信息顾问 : ( ) 地址 :深圳市深南中路 2070号电子科技大厦 C座 35层 B 2 室 96 号信箱 邮编 : 508031 服务热线 : 0755 - 83683934 , 83683618 - 2005 ,传真 : 0755 - 83686702E2m a il: c ir@ a itinfo. com h ttp: / /www. sem ia it. com