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手机信号塔变装戏法
人工树叶装扮点缀风景
【搜狐科学消息】据国外媒体报道,每个人都想拥有完美的手机服务,但 受伟大的邻避(NIMBY,邻避症候群,形容新发展计划受到该区域居民反对) 影口向的今天,没人希望欣赏风景的同时,手机塔突然出现在视线中. 据悉,美国如今大致有25万个手机通讯塔.并且随着科技的发展,数据更 多...
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,不用怀疑,它们确实点亮了大街小巷,
,稍的不同,但也不至于太过夸张.
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手机信号塔变装戏法
人工树叶装扮点缀风景
【搜狐科学消息】据国外媒体报道,每个人都想拥有完美的手机服务,但 受伟大的邻避(NIMBY,邻避症候群,形容新发展
受到该区域居民反对) 影口向的今天,没人希望欣赏风景的同时,手机塔突然出现在视线中. 据悉,美国如今大致有25万个手机通讯塔.并且随着科技的发展,数据更 多更快地传输,手机塔的需求量也会激增,将来这个数据明显会成倍化——但 高速发展带来方便快捷的同时,这些科技产品在自然环境中的强烈存在却也越 显违和,越来越超出人们审美观念当中的"和谐".
(搜狐科学l
随着科技的发
展,数据更多更快
地传输,手机塔的
需求量也会激增,
将来这个数据明显
会成倍化——但高
速发展带来方便快
捷的同时,这些科
技产品在自然环境
中的强烈存在却也
越显违和,越来越
超出人们审美观念
当中的"和谐"
拟巩固市场地位
三星量产30纳米级DRAM内存芯片
据韩国联合通讯社7月21日报道,三星电子成功研发出世界首款3O纳米级2千兆字节DDR3
DRAM内存芯片,并已从本月开始进入批量生产.
30.~8米级别是指半导体元件基板电路间的连线宽度为30纳米,与40纳米或5O纳米级别相
比,能在同样的空间容纳更多的电路.此外,其生产效率比40纳米DRAM内存芯片率提高了
60%:成本竞争力1;1;50纳米gU60纳米DRAM内存芯片提高了两倍以上.
通常用于电脑等大容量存储设备,而DDR是三星电DRAM作为半导体记忆芯片,
子公司于
1997年首推并成为业界
的技术.3O纳米级DDR3DRAM的数据处理速度最高达2133Mbps
(兆,j眇),处理速度分别比过去的DDR3DRAM和DDR2DRAM提高1.6倍和3.5倍.
同时,3O纳米级DDR3DRAM的设计符合大容量内存芯片,因此耗电量与50纳米gn40纳米
DRAM内存芯片相比,分别减少了30%和15%以上.
三星电子有关负责人称:"我们计划凭借环保型内存芯片3O纳米级DDR3DRAM,给我们
的顾客提供最佳解决
."
三星还计划在年内开始批量生产3O纳米级4千兆字节DDR3DRAM内存芯片,由此巩固其在
全球3O纳米级DRAM市场上的领先地位.
(科技日报)
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