3DA10型晶体管

3DA10型晶体管 结构名称：NPN硅平面高频大功率晶体管。 等级标记：Ⅱ类 主要用途： 用于50～100MHz下输出3—5W短波功率放大器及其它电子设备。 外形图：F—1C型 3DA10 电参数 序号 参数 单位 测试条件 规 范 值 A B 1 PCM W Tc≤70℃±5℃ 10 2 IC A 1 3 TjM ℃ 175 4 ICEO mA VCE =20V ≤1 ≤0.5 5 BVCBO V ICB=5mA ≥45 ≥65 6 BVCEO V ICE=5mA ≥40 ≥60 7 BVEBO V IEB=5mA ≥2 ≥3 8 VCE(sat) V IC=0.5A，IB=0.1A ≤1.5≤1.5 9 hFE VCE=5V，IC=0.3A ≥12 ≥15 10 PO W VCE=24V，Pi=1.25W，f=100MHz ≥4 ≥5 11 Gp dB ≥5 ≥6 12 ? % ≥45 ≥45 13 VSB V IC=0.2A ≥30 页码，1/1 2010-9-24file://F:\3DA10型晶体管.htm