电子元件大全

常用电子元器件参考资料 第一节 部分电气图形符号 一．电阻器、电容器、电感器和变压器 图形符号 名称与说明 图形符号 名称与说明 电阻器一般符号 电感器、线圈、绕组或扼 流图。注：符号中半圆数 不得少于 3 个 可变电阻器或可调 电阻器 带磁芯、铁芯的电感器 滑动触点电位器 带磁芯连续可调的电感器 极性电容 双绕组变压器 注：可增加绕组数目 可变电容器或可调 电容器 绕组间有屏蔽的双绕组变 压器 注：可增加绕组数目 双联同调可变电容 器。 注：可增加同调联数 在一个绕组上有抽头的变 压器 微调电容器 248 二．半导体管 图形符号 名称与说明 图形符号 名称与说明 二极管的符号 发光二极管 (1) (2) JFET 结型场效应 管 (1)N 沟道 (2)P 沟道 光电二极管 PNP型晶体三极管 稳压二极管 NPN 型晶体三极 管 变容二极管 全波桥式整流器 三．其它电气图形符号 图形符号 名称与说明 图形符号 名称与说明 具有两个电极 的 压 电 晶 体 注：电极数目 可增加 或 接机壳或底板 熔断器 导线的连接 指示灯及信号 灯 导线的不连接 扬声器 动合(常开)触点开 关 蜂鸣器 动断(常闭)触点开 关 接大地 手动开关 249 第二节 常用电子元器件型号命名法及主要技术参数 一．电阻器和电位器 1． 电阻器和电位器的型号命名方法 表 1 电阻器型号命名方法 第一部分：主称 第二部分：材料 第三部分：特征分类 意义 符号 意义 符 号 意义 符 号 电阻器 电位器 第四部分：序号 R 电阻器 T 碳膜 1 普通 普通 W 电位器 H 合成膜 2 普通 普通 S 有机实芯 3 超高频 ―― N 无机实芯 4 高阻 ―― J 金属膜 5 高温 ―― Y 氧化膜 6 ―― ―― C 沉积膜 7 精密 精密 I 玻璃釉膜 8 高压 特殊函数 P 硼碳膜 9 特殊 特殊 U 硅碳膜 G 高功率 ―― X 线绕 T 可调 ―― M 压敏 W ―― 微调 G 光敏 D ―― 多圈 R 热敏 B 温度补偿用 ―― C 温度测量用 ―― P 旁热式 ―― W 稳压式 ―― Z 正温度系数 ―― 对主称、材 料相同，仅性能 指标、尺寸大小 有差别，但基本 不影响互换使用 的产品，给予同 一序号；若性能 指标、尺寸大小 明 显 影 响 互 换 时，则在序号后 面用大写字母作 为区别代号。 示例： (1) 精密金属膜电阻器 R J 7 3 第四部分：序号 第三部分：类别（精密） 第二部分：材料（金属膜） 第一部分：主称（电阻器） (2) 多圈线绕电位器 W X D 3 第四部分：序号 第三部分：类别（多圈） 第二部分：材料（线绕） 第一部分：主称（电位器） 250 251 2．电阻器的主要技术指标 (1) 额定功率 电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称 为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率， 而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功 率，如表 2 所示。 表 2 电阻器的功率等级 名称 额定功率（W） 实芯电阻器 0.25 0.5 1 2 5 － 线绕电阻器 0.5 25 1 35 2 50 6 75 10 100 15 150 薄膜电阻器 0.025 2 0.05 5 0.125 10 0.25 25 0.5 50 1 100 (2) 标称阻值 阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值 系列亦不同。根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表 3 所示。E24、E12 和 E6 系列也适 用于电位器和电容器。 表 3 标称值系列 标称值系列 精度 电阻器（:）、电位器（:）、电容器标称值（PF） E24 ±5% 1.0 2.2 4.7 1.1 2.4 5.1 1.2 2.7 5.6 1.3 3.0 6.2 1.5 3.3 6.8 1.6 3.6 7.5 1.8 3.9 8.2 2.0 4.3 9.1 E12 ±10% 1.0 3.3 1.2 3.9 1.5 4.7 1.8 5.6 2.2 6.8 2.7 8.2 － － E6 ±20% 1.0 1.5 2.2 3.3 4.7 6.8 8.2 － 表中数值再乘以 10n，其中n为正整数或负整数。 (3) 允许误差等级 表 4 电阻的精度等级 允许误差(%) ±0.001 ±0.002 ±0.005 ±0.01 ±0.02 ±0.05 ±0.1 等级符号 E X Y H U W B 允许误差(%) ±0.2 ±0.5 ±1 ±2 ±5 ±10 ±20 等级符号 C D F G J（I） K（II） M（III） 3．电阻器的标志内容及方法 (1) 文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额 定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数 阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表 5 所示。如 1R5 表示 1.5Ω，2K7 表 示 2.7kΩ， 表５ 文字符号 R K M G T 表示单位 欧姆(Ω) 千欧姆(103Ω) 兆欧姆(106Ω) 千兆欧姆(109Ω) 兆兆欧姆(1012Ω) 例如： RJ71－0.125－5k1－II 允许误差±10% 标称阻值(5.1kΩ) 额定功率 1/8W 型号 由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为 1/8W，标称阻值为 5.1kΩ，允许误差 为±10%。 (2) 色标法： 色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点） 标注在它的外表面上。色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义 如图 1 和图 2 所示。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值有效数字后 0 的个数 允许误差 颜 色 第一位有效值 第二位有效值 倍 率 允 许 偏 差 黑 0 0 010 棕 1 1 110 红 2 2 210 橙 3 3 310 黄 4 4 410 绿 5 5 510 蓝 6 6 610 紫 7 7 710 灰 8 8 810 白 9 9 910 ―20% ~ +50% 金 110− ± 5% 银 210− ± 10% 无色 ± 20% 图 1 两位有效数字阻值的色环表示法 三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为±20%）。例如，色环为棕黑红，表 示 10×102＝1.0kΩ±20%的电阻器。 四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。例如，色环为棕绿橙金表示 15×103＝15kΩ±5%的电阻器。 五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表 示 275×104＝2.75MΩ±1%的电阻器。 252 一般四色环和五色环电阻器表示允许误差的色环的特点是该环离其它环的距离较远。较 标准的表示应是表示允许误差的色环的宽度是其它色环的（1.5~2）倍。 有些色环电阻器由于厂家生产不规范，无法用上面的特征判断，这时只能借助万用表判 断。 标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值第三位有效数字 标称值有效数字后 0 的个数 允许误差 颜色 第一位有效值 第二位有效值 第三位有效值 倍 率 允许偏差 黑 0 0 0 010 棕 1 1 1 110 ± 1% 红 2 2 2 210 ± 2% 橙 3 3 3 310 黄 4 4 4 410 绿 5 5 5 510 ± 0.5% 蓝 6 6 6 610 ± 0.25 紫 7 7 7 710 ± 0.1% 灰 8 8 8 810 白 9 9 9 910 金 110− 银 210− 图 2 三位有效数字阻值的色环表示法 4．电位器的主要技术指标 (1) 额定功率 电位器的两个固定端上允许耗散的最大功率为电位器的额定功率。使用中应注意额定功 率不等于中心抽头与固定端的功率。 (2) 标称阻值 标在产品上的名义阻值，其系列与电阻的系列类似。 (3) 允许误差等级 实测阻值与标称阻值误差范围根据不同精度等级可允许±20%、±10%、±5%、±2%、±1% 的误差。精密电位器的精度可达 0.1%。 ± (4) 阻值变化规律 指阻值随滑动片触点旋转角度（或滑动行程）之间的变化关系，这种变化关系可以是任 何函数形式，常用的有直线式、对数式和反转对数式（指数式）。 253 在使用中，直线式电位器适合于作分压器；反转对数式（指数式）电位器适合于作收音 机、录音机、电唱机、电视机中的音量控制器。维修时若找不到同类品，可用直线式代替， 但不宜用对数式代替。对数式电位器只适合于作音调控制等。 5．电位器的一般标志方法 WT－2 3.3k ±10% 允许误差±10% 标称阻值 3.3kΩ 额定功率 2W 碳膜电位器 254 WX－1 510Ω J 允许误差±5% 标称阻值 510Ω 额定功率 1W 线绕电位器 二．电容器 1．电容器型号命名法 表 6 电容器型号命名法 第一部分：主 称 第二部分： 材料 第三部分： 特征、分类 意义 符号 意 义 符 号 意义 符 号 瓷介 云母 玻璃 电解 其他 第四部分： 序号 C 瓷介 1 圆片 非密封 － 箔式 非密封 Y 云母 2 管形 非密封 － 箔式 非密封 I 玻璃釉 3 迭片 密封 － 烧结粉固体 密封 O 玻璃膜 4 独石 密封 － 烧结粉固体 密封 Z 纸介 5 穿心 － － － 穿心 J 金属化纸 6 支柱 － － － － B 聚苯乙烯 7 － － － 无极性 － L 涤纶 8 高压 高压 － － 高压 Q 漆膜 9 － － － 特殊 特殊 S 聚碳酸脂 J 金属膜 H 复合介质 W 微调 D 铝 A 钽 N 铌 G 合金 T 钛 电 容 器 E 其他 对主称、材料相同，仅尺 寸、性能指标略有不同， 但基本不影响互使用的产 品，给予同一序号；若尺 寸性能指标的差别明显； 影响互换使用时，则在序 号后面用大写字母作为区 别代号。 示例： (1) 铝电解电容器 C D 1 1 第四部分：序号 第三部分：特征分类（箔式） 第二部分：材料（铝） 第一部分：主称（电容器） (2) 圆片形瓷介电容器 C C 1－1 第四部分：序号 第三部分：特征分类（圆片） 第二部分：材料（瓷介质） 第一部分：主称（电容器） (3)纸介金属膜电容器 C Z J X 第四部分：序号 第三部分：特征分类（金属膜） 第二部分：材料（纸介） 第一部分：主称（电容器） 2．电容器的主要技术指标 (1) 电容器的耐压： 常用固定式电容的直流工作电压系列为：6.3V，10V，16V，25V， 40V，63V，100V，160V，250V，400V。 (2) 电容器容许误差等级：常见的有七个等级如表 7 所示。 表 7 容许误差 ±2% ±5% ±10% ±20% +20% -30% +50% -20% +100% -10% 级别 0.2 I II III IV V VI (3) 标称电容量： 表 8 固定式电容器标称容量系列和容许误差 系列代号 E24 E12 E6 容许误差 ±5%（I）或（J） ±10%（II）或（K） ±20%（III）或（m） 标称容量 对应值 10,11,12,13,15,16,18,20,22,24,27,30, 33,36,39,43,47,51,56,62,68,75,82,90 10,12,15,18,22,27,3 3,39,47,56,68,82 10,15,22,23,47,68 注：标称电容量为表中数值或表中数值再乘以10 ，其中 n 为正整数或负整数，单位为 pF。 n 3．电容器的标志方法 (1) 直标法 容量单位：F（法拉）、μF（微法）、nF（纳法）、pF（皮法或微微法）。 1 法拉= 微法= 微微法， 1 微法= 纳法= 微微法 610 1210 310 610 1 纳法= 微微法 310 例如：4n7 表示 4.7nF 或 4700pF，0.22 表示 0.22μF，51 表示 51pF。 有时用大于 1 的两位以上的数字表示单位为 pF 的电容，例如 101 表示 100 pF；用小于 1 的数字表示单位为μF 的电容，例如 0.1 表示 0.1μF。 255 (2) 数码表示法 一般用三位数字来表示容量的大小，单位为pF。前两位为有效数字， 后一位表示位率。即乘以 10i，i为第三位数字，若第三位数字 9，则乘 10-1。如 223J代表 22×103pF ＝22000pF＝0.22μF，允许误差为±5%；又如 479K代表 47×10-1pF，允许误差为±5%的电容。 这种表示方法最为常见。 （3）色码表示法 这种表示法与电阻器的色环表示法类似，颜色涂于电容器的一端或从 顶端向引线排列。色码一般只有三种颜色，前两环为有效数字，第三环为位率，单位为 pF。 有时色环较宽，如红红橙，两个红色环涂成一个宽的，表示 22000pF。 三．电感器 1．电感器的分类 常用的电感器有固定电感器、微调电感器、色码电感器等。变压器、阻流圈、振荡线圈、 偏转线圈、天线线圈、中周、继电器以及延迟线和磁头等，都属电感器种类。 2．电感器的主要技术指标 (1) 电感量: 在没有非线性导磁物质存在的条件下，一个载流线圈的磁通量与线圈中的电流成正比 其比例常数称为自感系数，用 L 表示，简称为电感。即： I L ϕ= 式中：ϕ＝磁通量 I＝电流强度 (2) 固有电容：线圈各层、各匝之间、绕组与底板之间都存在着分布电容。统称为电感 器的固有电容。 (3) 品质因数： 电感线圈的品质因数定义为： R LQ ω= 式中：ω－工作角频率，L－线圈电感量，R－线圈的总损耗电阻 (4) 额定电流：线圈中允许通过的最大电流。 (5) 线圈的损耗电阻：线圈的直流损耗电阻。 2．电感器电感量的标志方法 (1) 直标法。单位 H（亨利）、mH（毫亨）、μH（微亨）、 (2) 数码表示法。方法与电容器的表示方法相同。 (3) 色码表示法。这种表示法也与电阻器的色标法相似，色码一般有四种颜色，前两种 颜色为有效数字，第三种颜色为倍率，单位为μH，第四种颜色是误差位。 256 四．半导体分立器件 1．半导体分立器件的命名方法 （1） 我国半导体分立器件的命名法 表 9 国产半导体分立器件型号命名法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用数字表示器 件电极的数目 用汉语拼音字母表示器 件的材料和极性 用汉语拼音字母 表示器件的类型 符 号 意义 符 号 意义 符 号 意义 符 号 意义 2 3 二极管 三极管 A B C D A B C D E N 型，锗材料 P 型，锗材料 N 型，硅材料 P 型，硅材料 PNP 型，锗材料 NPN 型，锗材料 PNP 型，硅材料 NPN 型，硅材料 化合物材料 P V W C Z L S N U K X G 普通管 微波管 稳压管 参量管 整流管 整流堆 隧道管 阻尼管 光电器件 开关管 低频小功率管 （ ＜3MHz,αf PC<1W） 高频小功率管 （ ≥3MHz αf PC<1W） D A T Y B J CS BT FH PIN JG 低频大功率管 （ ＜3MHz, αf PC≥1W) 高频大功率管 （ ≥3MHz αf PC≥1W） 半导体闸流管 (可控硅整流器) 体效应器件 雪崩管 阶跃恢复管 场效应器件 半导体特殊器件 复合管 PIN 型管 激光器件 用数字 表示器件 序号 用 汉 语 拼 音 表 示 规 格 的 区 别 代号 例： 1) 锗材料 PNP 型低频大功率三极管： 2) 硅材料 NPN 型高频小功率三极管： 3 A D 50 C 3 D G 201 B 规格号 规格号 序号 序号 低频大功率 低频大功率 PNP 型、锗材料 PNP 型、锗材料 三极管 三极管 3) N 型硅材料稳压二极管： 4) 单结晶体管： 2 C W 51 B T 3 3 E 序号 规格号 稳压管 耗散功率 N 型、硅材料 三个电极 二极管 特种管 半导体 （2）国际电子联合会半导体器件命名法 257 表 10 国际电子联合会半导体器件型号命名法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 用字母表示使 用的材料 用字母表示类型及主要特性 用数字或字母加 数字表示登记号 用字母对同一 型号者分档 符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 A 检波、开关和 混频二极管 M 封闭磁路中的 霍尔元件 A 锗材料 B 变容二极管 P 光敏元件 C 低频小功率三 极管 Q 发光器件 B 硅材料 D 低频大功率三 极管 R 小功率可控硅 E 隧道二极管 S 小功率开关管 三 位 数 字 通用半 导体器件 的登记序 号（同一 类型器件 使用同一 登记号） C 砷化镓 F 高频小功率三 极管 T 大功率可控硅 G 复合器件 及其它器件 U 大功率开关管 D 锑化铟 H 磁敏二极管 X 倍增二极管 K 开放磁路中的 霍尔元件 Y 整流二极管 R 复合材 料 L 高频大功率三 极管 Z 稳压二极管即 齐纳二极管 一 个 字 母 加 两 位 数 字 专用半 导体器件 的登记序 号（同一 类型器件 使用同一 登记号） A B C D E L 同 一 型 号 器 件 按 某 一 参 数 进 行 分 档 的 标 志 示例（命名）： A F 239 S AF239 型某一参数的 S 档 普通用登记序号 高频小功率三极管 锗材料 国际电子联合会晶体管型号命名法的特点： 1) 这种命名法被欧洲许多国家采用。因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母 是 A，B，C，D 或 R 的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的 产品。 2) 第一个字母表示材料（A 表示锗管，B 表示硅管），但不表示极性（NPN 型或 PNP 型）。 3) 第二个字母表示器件的类别和主要特点。如 C 表示低频小功率管，D 表示低频大功 率管，F 表示高频小功率管，L 表示高频大功率管等等。若记住了这些字母的意义，不查手 册也可以判断出类别。例如，BL49 型，一见便知是硅大功率专用三极管。 4) 第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品， 顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如，AC184 为 PNP 型，而 AC185 则为 NPN 型。 5) 第四部分字母表示同一型号的某一参数（如hFE或NF）进行分档。 6) 型号中的符号均不反映器件的极性（指 NPN 或 PNP）。极性的确定需查阅或测 量。 (3) 美国半导体器件型号命名法 258 美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号 命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法。如表 11 所示。 表 11 美国电子工业协会半导体器件型号命名法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用符号表示 用途的类型 用数字表示 PN 结的数目 美国电子工业协会 (EIA)注册标志 美国电子工业协会 (EIA)登记顺序号 用字母表示 器件分档 符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 1 二极管JAN 或 J 军用品 2 三极管 3 三个 PN 结器件 无 非军用品 n n 个 PN 结器件 N 该 器 件 已 在 美 国 电 子 工 业 协 会 注 册 登记 多 位 数 字 该器件在 美国电子工 业协会登记 的顺序号 A B C D L 同 一 型 号 的 不 同 档 别 例： 1) JAN2N2904 2) 1N4001 JAN 2 N 2904 1 N 4001 EIA 登记序号 EIA 登记序号 EIA 注册标志 EIA 注册标志 三极管 二极管 军用品 美国晶体管型号命名法的特点： 1) 型号命名法规定较早，又未作过改进，型号内容很不完备。例如，对于材料、极性、 主要特性和类型，在型号中不能反映出来。例如，2N 开头的既可能是一般晶体管，也可能 是场效应管。因此，仍有一些厂家按自己规定的型号命名法命名。 2) 组成型号的第一部分是前缀，第五部分是后缀，中间的三部分为型号的基本部分。 3) 除去前缀以外，凡型号以 1N、2N 或 3NLL开头的晶体管分立器件，大都是美国制 造的，或按美国专利在其它国家制造的产品。 4) 第四部分数字只表示登记序号，而不含其它意义。因此，序号相邻的两器件可能特 性相差很大。例如，2N3464 为硅 NPN，高频大功率管，而 2N3465 为 N 沟道场效应管。 5) 不同厂家生产的性能基本一致的器件，都使用同一个登记号。同一型号中某些参数 的差异常用后缀字母表示。因此，型号相同的器件可以通用。 6) 登记序号数大的通常是近期产品。 (4) 日本半导体器件型号命名法 日本半导体分立器件（包括晶体管）或其它国家按日本专利生产的这类器件，都是按日 本工业标准（JIS）规定的命名法（JIS－C－702）命名的。 日本半导体分立器件的型号，由五至七部分组成。通常只用到前五部分。前五部分符号 及意义如表 12 所示。第六、七部分的符号及意义通常是各公司自行规定的。第六部分的符 号表示特殊的用途及特性，其常用的符号有： M－松下公司用来表示该器件符合日本防卫厅海上自卫队参谋部有关标准登记的产品。 N－松下公司用来表示该器件符合日本广播协会（NHK）有关标准的登记产品。 Z－松下公司用来表示专用通信用的可靠性高的器件。 259 H－日立公司用来表示专为通信用的可靠性高的器件。 K－日立公司用来表示专为通信用的塑料外壳的可靠性高的器件。 T－日立公司用来表示收发报机用的推荐产品。 G－东芝公司用来表示专为通信用的设备制造的器件。 S－三洋公司用来表示专为通信设备制造的器件。 第七部分的符号，常被用来作为器件某个参数的分档标志。例如，三菱公司常用R，G， Y等字母；日立公司常用A，B，C，D等字母，作为直流放大系数hFE的分档标志。 表 12 日本半导体器件型号命名法 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用数字表示类型 或有效电极数 S 表示日本电子工 业协会（EIAJ）的 注册产品 用字母表示器件 的极性及类型 用数字表示在日 本电子工业协会 登记的顺序号 用字母表示 对原来型号 的改进产品 符 号 意义 符 号 意义 符 号 意义 符 号 意义 符 号 意义 A PNP 型高频管 B PNP 型低频管 C NPN 型高频管 0 光电(即光敏) 二极管、晶体 管及其组合 管 D NPN 型低频管 1 二极管 F P 控制极可控硅 G N 控制极可控硅 H N 基极单结晶体管 J P 沟道场效应管 2 三极管、具有 两个以上 PN 结的其他晶 体管 K N 沟道场效应管 M 双向可控硅 3 L L 具有四个有 效电极或具 有三个 PN 结 的晶体管 n- 1 具有n个有效 电极或具有 n-1 个 PN 结 的晶体管 S 表示已在日 本电子工业协 会 (EIAJ)注册 登记的半导体 分立器件 四 位 以 上 的 数 字 从 11 开 始，表示在 日本电子工 业协会注册 登记的顺序 号，不同公 司性能相同 的器件可以 使用同一顺 序号，其数 字越大越是 近期产品 A B C D E F L L 用字母 表示对原 来型号的 改进产品 示例： 1）2SC502A（日本收音机中常用的中频放大管） 2 S C 502 A 2SC502 型的改进产品 日本电子工业协会登记顺序号 NPN 型高频三极管 日本电子工业协会注册产品 三极管（两个 PN 结） 260 2）2SA495（日本夏普公司 GF－9494 收录机用小功率管） 2 S A 495 日本电子工业协会登记顺序号 PNP 高频管 日本电子工业协会注册产品 三极管（两个 PN 结） 日本半导体器件型号命名法有如下特点： 1) 型号中的第一部分是数字，表示器件的类型和有效电极数。例如，用“1”表示二极 管，用“2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。 2) 第二部分均为字母 S，表示日本电子工业协会注册产品，而不表示材料和极性。 3) 第三部分表示极性和类型。例如用 A 表示 PNP 型高频管，用 J 表示 P 沟道场效应三 极管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。 4) 第四部分只表示在日本工业协会（EIAJ）注册登记的顺序号，并不反映器件的性能， 顺序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如，2SC2680 型的最大额定耗散功率为 200mW，而 2SC2681 的最大额定耗散功率为 100W。但是，登记顺序号能反映产品时间的先 后。登记顺序号的数字越大，越是近期产品。 5) 第六、七两部分的符号和意义各公司不完全相同。 6) 日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号，常采用简化标记的方法，即把 2S 省 略。例如，2SD764，简化为 D764，2SC502A 简化为 C502A。 7) 在低频管（2SB和 2SD型）中，也有工作频率很高的管子。例如，2SD355 的特征频 率fT为 100MHz，所以，它们也可当高频管用。 8) 日本通常把Pcm≥1W的管子，称做大功率管。 2．常用半导体二极管的主要参数 表 13 部分半导体二极管的参数 类 型 参 数 型 号 最 大 整 流 电 流 /mA 正 向 电 流 /mA 正向压 降(在左 栏电流 值下)/V 反 向 击 穿 电 压 /V 最高反 向工作 电压/V 反 向 电 流 /μA 零 偏 压 电 容 /pF 反向恢复 时间/ns 2AP9 ≥2.5 ≥40 20 2AP7 ≤16 ≥5 ≤1 ≥150 100 ≤250 ≤1 fH(MHz)1 50 2AP11 ≤25 ≥10 ≤10 普通 检波 二极 管 2AP17 ≤15 ≥10 ≤1 ≤100 ≤250 ≤1 fH(MHz)4 0 2AK1 30 10 2AK2 ≥150 ≤1 40 20 ≤3 ≤200 2AK5 ≥200 ≤0.9 60 40 ≤2 ≤150 2AK10 ≥10 ≤1 70 50 2AK13 60 40 锗 开 关 二 极 管 2AK14 ≥250 ≤0.7 70 50 ≤2 ≤150 2CK70A~E ≥10 ≤3 2CK71A~E ≥20 ≤1.5 ≤4 2CK72A~E ≥30 ≤0.8 2CK73A~E ≥50 2CK74A~D ≥100 2CK75A~D ≥150 硅 开 关 二 极 管 2CK76A~D ≥200 ≤1 A≥30 B≥45 C≥60 D≥75 E≥90 A≥20 B≥30 C≥40 D≥50 E≥60 ≤1 ≤5 类 型 参 数 型 号 最 大 整 流 电 流 /mA 正 向 电 流 /mA 正向压 降(在左 栏电流 值下)/V 反 向 击 穿 电 压 /V 最高反 向工作 电压/V 反 向 电 流 /μA 零 偏 压 电 容 /pF 反向恢复时 间/ns 261 262 2CZ52B L H 2 0.1 ≤1 25 L 600 同2AP 普通二极 管 2CZ53B L M 6 0.3 ≤1 50 L 1000 2CZ54B L M 10 0.5 ≤1 50 L 1000 2CZ55B L M 20 1 ≤1 50 L 1000 2CZ56B L B 65 3 ≤0.8 25 L 1000 1N4001 L 4007 30 1 1.1 50 L 1000 5 1N5391 L 5399 50 1.5 1.4 50 L 1000 10 整 流 二 极 管 1N5400 L 5408 200 3 1.2 50 L 1000 10 3.常用整流桥的主要参数 表 14 几种单相桥式整流器的参数 参数 型号 不重复正向 浪涌电流/A 整流 电流/A 正向电 压降/V 反向漏 电/μA 反向工作电压/V 最高工作 结温/oC QL1 1 0.05 QL2 2 0.1 QL4 6 0.3 QL5 10 0.5 QL6 20 1 ≤10 QL7 40 2 QL8 60 3 ≤1.2 ≤15 常见的分档为：25， 50，100，200，400， 500，600，700，800， 900，1000 130 4.常用稳压二极管的主要参数 表 15 部分稳压二极管的主要参数 工作电流为 稳定电流 稳定电 压下 环境温度 <50oC 稳定电 流下 稳定电流下 环境温度 ＜10oC 测试条件 参 型 数 号 稳定电压 /V 稳定电 流/mA 最大稳定 电流/mA 反向漏电 流 动态电 阻/Ω 电压温度系 数/10-4/oC 最大耗散 功率/W 2CW51 2.5~3.5 71 ≤5 ≤60 ≥-9 2CW52 3.2~4.5 55 ≤2 ≤70 ≥-8 2CW53 4~5.8 41 ≤1 ≤50 -6~4 2CW54 5.5~6.5 38 ≤30 -3~5 2CW56 7~8.8 27 ≤15 ≤7 2CW57 8.5~9.8 10 26 ≤20 ≤8 2CW59 10~11.8 20 ≤30 ≤9 2CW60 11.5~12.5 5 19 ≤0.5 ≤40 ≤9 0.25 2CW103 4~5.8 50 165 ≤1 ≤20 -6~4 2CW110 11.5~12.5 20 76 ≤0.5 ≤20 ≤9 2CW113 16~19 10 52 ≤0.5 ≤40 ≤11 1 2CW1A 5 30 240 ≤20 1 2CW6C 15 30 70 ≤8 1 2CW7C 6.0~6.5 10 30 ≤10 0.05 0.2 5.常用半导体三极管的主要参数 (1) 3AX51(3AX31)型 PNP 型锗低频小功率三极管 表 16 3AX51(3AX31)型半导体三极管的参数 原 型 号 3AX31 新 型 号 3AX51A 3AX51B 3AX51C 3AX51D 测 试 条 件 PCM(mW) 100 100 100 100 Ta＝25oC ICM(mA) 100 100 100 100 TjM(oC) 75 75 75 75 BVCBO(V) ≥30 ≥30 ≥30 ≥30 IC＝1mA 极 限 参 数 BVCEO(V) ≥12 ≥12 ≥18 ≥24 IC＝1mA ICBO(μA) ≤12 ≤12 ≤12 ≤12 VCB＝-10V ICEO(μA) ≤500 ≤500 ≤300 ≤300 VCE＝-6V IEBO(μA) ≤12 ≤12 ≤12 ≤12 VEB＝-6V 直 流 参 数 hFE 40~150 40~150 30~100 25~70 VCE＝-1V IC＝50mA fα(kHz) ≥500 ≥500 ≥500 ≥500 VCB＝-6V IE＝1mA NF(dB) － ≤8 － － VCB＝-2V IE＝0.5mA f＝1kHz hie(kΩ) 0.6~4.5 0.6~4.5 0.6~4.5 0.6~4.5 hre(×10) ≤2.2 ≤2.2 ≤2.2 ≤2.2 hoe(μs) ≤80 ≤80 ≤80 ≤80 交 流 参 数 hfe － － － － VCB＝-6V IE＝1mA f＝1kHz hFE色标分档 (红)25~60；(绿)50~100；(蓝)90~150 管 脚 B E C （2）3AX81 型 PNP 型锗低频小功率三极管 表 17 3AX81 型 PNP 型锗低频小功率三极管的参数 型 号 3AX81A 3AX81B 测 试 条 件 PCM(mW) 200 200 ICM(mA) 200 200 TjM(oC) 75 75 BVCBO(V) -20 -30 IC＝4mA BVCEO(V) -10 -15 IC＝4mA 极限 参数 BVEBO(V) -7 -10 IE＝4mA ICBO(μA) ≤30 ≤15 VCB＝-6V ICEO(μA) ≤1000 ≤700 VCE＝-6V IEBO(μA) ≤30 ≤15 VEB＝-6V VBES(V) ≤0.6 ≤0.6 VCE＝-1V IC＝175mA VCES(V) ≤0.65 ≤0.65 VCE＝VBE VCB＝0 IC＝200mA 直流 参数 hFE 40~270 40~270 VCE＝-1V IC＝175mA 交 流 参 数 fβ(kHz) ≥6 ≥8 VCB＝-6V IE＝10mA hFE色标分档 (黄)40~55 (绿)55~80 (蓝)80~120 (紫)120~180 (灰)180~270 (白)270~400 管 脚 B E C （3）3BX31 型 NPN 型锗低频小功率三极管 263 表 18 3BX31 型 NPN 型锗低频小功率三极管的参数 型 号 3BX31M 3BX31A 3BX31B 3BX31C 测 试 条 件 PCM(mW) 125 125 125 125 Ta=25oC ICM(mA) 125 125 125 125 TjM(oC) 75 75 75 75 BVCBO(V) -15 -20 -30 -40 IC＝1mA BVCEO(V) -6 -12 -18 -24 IC＝2mA 极限 参数 BVEBO(V) -6 -10 -10 -10 IE＝1mA ICBO(μA) ≤25 ≤20 ≤12 ≤6 VCB＝6V ICEO(μA) ≤1000 ≤800 ≤600 ≤400 VCE＝6V IEBO(μA) ≤25 ≤20 ≤12 ≤6 VEB＝6V VBES(V) ≤0.6 ≤0.6 ≤0.6 ≤0.6 VCE＝6V IC＝100mA VCES(V) ≤0.65 ≤0.65 ≤0.65 ≤0.65 VCE＝VBE VCB＝0 IC＝125mA 直流 参数 hFE 80~400 40~180 40~180 40~180 VCE＝1V IC＝100mA 交 流 参 数 fβ(kHz) － － ≥8 fα≥465 VCB＝-6V IE＝10mA hFE色标分档 (黄)40~55 (绿)55~80 (蓝)80~120 (紫)120~180 (灰)180~270 (白)270~400 管 脚 B E C (4) 3DG100(3DG6) 型 NPN 型硅高频小功率三极管 表 19 3DG100(3DG6) 型 NPN 型硅高频小功率三极管的参数 原 型 号 3DG6 新 型 号 3DG100A 3DG100B 3DG100C 3DG100D 测 试 条 件 PCM(mW) 100 100 100 100 ICM(mA) 20 20 20 20 BVCBO(V ) ≥30 ≥40 ≥30 ≥40 IC＝100µA BVCEO(V ) ≥20 ≥30 ≥20 ≥30 IC＝100µA 极 限 参 数 BVEBO(V ) ≥4 ≥4 ≥4 ≥4 IE＝100μA ICBO(μA) ≤0.01 ≤0.01 ≤0.01 ≤0.01 VCB＝10V ICEO(μA) ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1 ≤0.1 VCE＝10V IEBO(μA) ≤0.01 ≤0.01 ≤0.01 ≤0.01 VEB＝1.5V VBES(V) ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 IC＝10mA IB＝1mA B VCES(V) ≤1 ≤1 ≤1 ≤1 IC＝10mA IB＝1mA B 直 流 参 数 hFE ≥30 ≥30 ≥30 ≥30 VCE＝10V IC＝3mA fT(MHz) ≥150 ≥150 ≥300 ≥300 VCB＝10V IE＝3mA f＝100MHz RL＝5Ω KP(dB) ≥7 ≥7 ≥7 ≥7 VCB＝-6V IE＝3mA