半导体导带位置(ECB)计算怎样由禁带宽度Eg粗略计算半导体的导带位置(ECB,VsNHE)经验公式:ECB=X-Ec-Eg/2EVB=ECB+Eg其中,Ec是相对于标准H电极的一个常数,Ec=4.5eV;Eg是半导体的禁带宽度(以实际测量结果为主);X是半导体内各原子绝对电负性的几何平均值。计算实例如下:对ZnO,Eg=3.2eV,通过后面的附表可查得,X(Zn)=4.45,X(O)=7.54,所以X=4.451?7.451=5.79,所以,ECB=5.79-4.5-3.2/2=-0.31eV,EVB=-0.31+3.2=2.89eV;再如对Fe2O3...
怎样由禁带宽度Eg粗略计算半导体的导带位置(ECB,VsNHE)经验公式:ECB=X-Ec-Eg/2EVB=ECB+Eg其中,Ec是相对于标准H电极的一个常数,Ec=4.5eV;Eg是半导体的禁带宽度(以实际测量结果为主);X是半导体内各原子绝对电负性的几何平均值。计算实例如下:对ZnO,Eg=3.2eV,通过后面的附表可查得,X(Zn)=4.45,X(O)=7.54,所以X=4.451?7.451=5.79,所以,ECB=5.79-4.5-3.2/2=-0.31eV,EVB=-0.31+3.2=2.89eV;再如对Fe2O3,Eg=2.2eV,X=1/24.062?7.453=5.88eV,所以,ECB=5.88-4.5-2.2/2=0.28eV,EVB=0.28+2.2=2.48eV.与文献给出的数据几乎完全一致,读者可自行验算其他物质。原子绝对电负性附表如下:2+31+12/2
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