电脑主板电子原件介绍

维修人员教程.电子元器件的认识.电子元器件的认识（LCR).电阻(Resistor)定义阻止电流通过的电子元件种类定额电阻在生产时已规定了电阻的阻值大小可变电阻根据需要在一定范围内可改变其阻值大小热敏电阻阻值在生产时已定额,但会随着温度改变其阻值大小用于温控电路压敏电阻电阻对电压较敏感，当电压达到一定数值时,电阻迅速导通.电阻(Resistor)电阻在电路中用“R”加数字表示换算单位电阻的单位为欧姆（Ω）倍率单位有：千欧(KΩ),兆欧(MΩ)等1MΩ=103KΩ=106Ω阻值计算1．E-24标注方法E-24标注法有两位有效数字，精度在±2%（-G），±5%（-J），±10%（-K）（1）常用电阻标注XXYXX代表底数，Y代表指数例如470=47Ω103=10kΩ224=220kΩ（2）小于10欧姆的电阻的标注用R代表单位为欧姆的电阻小数点，用m代表单位为毫欧姆的电阻小数点例如1R0=1.0ΩR20=0.20Ω5R1=5.1ΩR007=7.0mΩ4m7=4.7mΩ.电阻(Resistor)2．E-96标注方法E-96标注法有三位有效数字，精度在±1%（-F）(1)常用电阻标注XXXYXXX代表底数，Y代表指数例如4700=470Ω1003=100kΩ2203=220kΩ(2)小于10欧姆的电阻的标注用R代表单位为欧姆的电阻小数点，用m代表单位为毫欧姆的电阻小数点例如1R00=1.00ΩR200=0.200Ω5R10=5.10ΩR007=7.00mΩ4m70=4.70mΩ(3)E-96MultiplierCode标注法XYX代表底数的代码，具体数值可从MultiplierCode表中查找Y代表指数的代码，具体数值也要从MultiplierCode表中查找例如18A=150Ω02C=10.2kΩ排阻(ResistorArray）串联排阻用英文字母“RN“表示.并联排阻用英文字母“RP“表示﹒若干个参数完全相同的电阻，它们的一个引脚都连到一起，作为公共引脚。其余引脚正常引出一般来说，最左边的那个是公共引脚。它在排阻上一般用一个色点标出来.电阻(Resistor)精密电阻表：X=10-1A=100B=101C=102D=103E=104数字代表值数字代表值数字代表值011001112721162021021213022165031051313323169041071413724174051101514025178061131614326182071151714727187081181815028191091211915429196101242015830200.电阻(Resistor)量测方法用数字式万用表去测电阻时，用红黑表笔接电阻的两端,用相应的欧姆档去读取电阻的阻抗大小作用电阻在电路中的主要作用为分流,限流,分压,偏置,滤波(与电容器组合使用)和阻抗匹配等应用分流----并联电阻,常见于光驱电路板上限流----例如:主板上用于Reset电路中的上拉电阻分压----串联电阻,常用于3VSB电路中的基准电路备注电阻大小和主板的Trace和Copper的长度,宽度和厚度有关Trace和Copper的长度越长,宽度越窄和厚度越薄,电阻值越大Trace和Copper的长度越短,宽度越宽和厚度越厚,电阻值越小当电阻一定时,流过Trace的电流越大,Trace上的压降越大.电容(Capacitor)定义容纳电荷的电子元件种类从工艺上分直立电容(DIP)和贴片电容(SMT)两种从介质上分有陶瓷电容、钽电容、铝电解电容三种陶瓷电容-电视机电路板上常见无极性,容量也很小(PF级)一般可以耐很高的温度和电压常用于高频滤波钽电容寿命长、耐高温、准确度高、滤高频改波性能极好容量较小、价格也比铝电容贵,因含巨毒现已不再使用铝电解电容-常见包含固态电容，封装方式不一样比贴片式钽电容更大的容量电流低频的滤波和稳压作用.电容(Capacitor)电容在电路中用“C”加数字表示换算单位电容的单位为法拉（F）倍率单位有:毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。1F=103mF=106uF=109nF=1012pF容抗计算数标法一般用三位数字表示容量大小,前两位表示有效数字,第三位数字是倍率色环标注法电容容量误差表符号FGJKLM允许误差±1%±2%±5%±10%±15%±20%钽电容及电解电容有极性焊接时注意方向　贴片电容　直立电容.电容(Capacitor)量测方法电解电容判断电解电容的极性目视量测先任意测一下漏电阻，记住其大小，然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是负极。电解电容的量测方法使用万用表电阻挡，采用给电解电容进行正、反向充电的方法，根据指针向右摆动幅度的大小，可判断电解电容是否可充电。普通量测方法在拆卸电容后使用LCRMeter或万用表红黑笔棒量测电容容抗大小.电容(Capacitor)特性隔直流通交流,储存电能作用电容是一个储能元件,能起到充放电的作用应用滤波---主板上的Vcore电路中的电容振荡---应用于早期的中短波收音机中,因为误差较大,在现在的应用中多被晶振所代替用的很少不超过10个晶振中有两个重要的电容耦合---主板上在CPU附近常用于高频耦合主要用在滤波和耦合.电容(Capacitor)图示DIP电解电容贴片式陶瓷电容贴片式钽电容贴片式铝电解电容OSCON电容.电容(Capacitor)OSCON电容-构成方式OS-CONOS-CON是采用在固体电解质里的高导电性有机半导体（TCNQ复合盐）原理，以实现小型化，大容量以及等效串联电阻小，使用寿命长的特点。由于等效串联电阻极为微小，频率数特性出色，所以最适合用于转换电流平滑电容器和清除各种嘈声的电容器。同时，与有机半导体（TCNQ复合盐）相比较，可以更加体现出它的高导电性能，以及在使用耐热性高的高分子导电性系列时也被大力推出,对于无铅化以及设备的高可靠性,长寿命化都显示出无可比拟的优越性。使用寿命长,即使爆炸也不会发生明火等效阻抗小,能量损失少P=1/2*I2*ESR,常用于OEM/ODM机种Vcore电路上价格较贵.电容(Capacitor)EL-Cap的组成铝箔(AluminumFoil)电解液(Electrolyte)电解纸(ElectrolyticPaper)导针(Lead)橡胶(Rubber)胶管(Sleeve).电感(Inductor)定义电流感应电动势种类空芯电感有芯电感磁芯常用于高频电感铁芯常用于低频电感.电感(Inductor)电感在电路中用“L”加数字表示量测方法使用万用表红黑笔棒量测电感,其两端应该是相互导通的使用LCRMeter量测电感感量作用电感是用线圈制作的,通直流阻交流,它的作用多是扼流滤波和滤除高频杂波以及振荡,延迟和陷波等应用滤波----Vcore电路中的扼流电感储频器上用于供压的3V电感耦合----主板上用于USB电路中的4Pin电感.保险丝(Fuse)定义在发生短路或者过载等故障时熔断以切断电路来保护受该保险丝保护的电气元件,也被称之为熔断器电路中用“F”加数字表示种类限流保险丝----用于过电流保护(平常说的保险丝)温度保险丝----用于过热保护熔断性自恢复性量测方法使用万用表红黑笔棒量测保险丝,其两端应该是相互导通的快速保险丝在电路中用“F”加数字表示作用保险丝就会在电流异常升高到一定的高度和一定的时候，自身熔断切断电流，从而起到保护电路安全运行的作用应用主板上KB/MS电路中主板上USB电路中.晶振(CrystalOscillator)定义石英晶体振荡器,利用石英晶体（二氧化硅的结晶体）的压电效应制成的一种谐振器件,常与负载电容一起组成各类振荡电路种类普通晶体振荡（SPXO）电压控制式晶体振荡器（VCXO)温度补偿式晶体振荡（TCXO）恒温控制式晶体振荡（OCXO）量测方法标称频率大都标明在晶振外壳上,用示波器相应挡位量测即可晶振在电路中用“X”加数字表示作用广泛应用于彩电、计算机、遥控器等各类振荡电路中，以及通信系统中用于频率发生器数据处理设备产生时钟信号和为特定系统提供基准信号。应用主板上频率发生器电路中主板上Audio/LAN电路中.二极管(Diode)晶体二极管晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示种类齐纳二极管(ZenerDiode)常用于调整电压,其与整流二极管的差别在于专门选用其逆向崩溃区肖特基二极管(SchottkyDiode)常用于高频和高速切换中，因其反向恢复时间短管压降小发光二极管(Light-EmittingDiode)发光二极管因所用于制造的材料不同，则其放射光的波长也不同，颜色自然不同发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负.二极管(Diode)特性单向导电性应用单向导通----在电池电路中的双二极管稳压----常用于早期的Vcore芯片的供电电路中测试注意事项建议用数字式万用表两极管档去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反SOT-323双二极管SOD-323.二极管(Diode)齐纳二极管也称为稳压二极管,在电路中常用“ZD”加数字表示特性击穿后其两端的电压基本保持不变.这样当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变故障特点开路:电源电压升高短路:电源电压/大电流变低到零伏或输出不稳定稳压值不稳定:电源电压变低到零伏或输出不稳定.三极管(Transistor)种类分NPN和PNP两种E(Emitter)发射极C(Collector)集电极B(Base)基极常见Package作用晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用应用一般数字设计中,对晶体管都是工作在Cutoff（截止）及(饱和)Saturation二种State,取代Switch之OFF/ON在Power、Audio等应用中,让晶体管工作在ActiveArea，起放大作用NPNSOT-23PNPSOT-89SOT-23SOT-89TO-252.MOS管(MOSFET)种类分N沟道型和P沟道型两种D(Drain)漏极S(Source)源极G(Gate)栅极.MOS管(MOSFET)常见MOSFET封装PowerMOS的供应商APEC:富鼎ANPEC:茂达INFINEON:英飞凌NECNIKO:尼克森PowerMOS的P/N&DateCodeTO-252TO-251SOT-23.MOS管(MOSFET)N-MOS9T15N-MOS70T03N-MOS60T03.主板常见场效应管与晶体管的比较场效应管与主板常见晶体管的比较场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管场效应管是利用多数载流子导电,是单极型器件晶体管既有多数载流子,也利用少数载流子导电,是双极型器件有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.MOSFET的量测(一)判断N沟道MOSFET的好坏(拆卸MOSFET后量测)1.把MOS从板子上吹下来2.准备一只万用表,要求红黑表头之间的电压大于2伏特(因为Vgs门限电压一般都是2伏特,只有大于2伏特MOS才能导通）。3.用欧姆档红接G,黑接S,正常值是∞。同时GS被充电.(如果说是欧姆级的，那么就坏掉了.)4.如果正常,则因为GS被充电,所以DS导通,则Vds约等于0V,Rds约等于0欧姆。5.接着用手把G和S捏在一起，进行放电。6.然后测Vds应该∞,Rds也应该是∞。7.再测Vsd约0.4V~0.5V.(Vds是红表头接d极，黑表头接s极；Vsd反过来）.MOSFET的量测(二)板上VcoreMOSFET判定方法(不拆卸MOSFET量测)关于HighSideMOS（上管）量测MOS管的D极和S极相互阻值,阻值应该在50欧姆以上(实际阻值是在持续增大的),若情况符合,则认为所有highsideMOS均OK,不符则进行第2步精确判断哪颗MOS损坏.量测MOS管的G极和S极之间的相互阻值,若发现阻值不是K级以上(一般通常情況是8.2K，加了一个),则基本判定该MOS管损坏.关于LowSideMOS（下管）量测MOS管的D极和S极相互阻值,阻值应该在20欧姆以上(实际阻值是在持续增大的),若情况符合,则认为所有lowsideMOS均OK,不符则进行第2步精确判断哪颗MOS损坏.量测MOS管的G极和S极之间的相互阻值,若发现阻值不是K级以上(一般通常情況是8.2K),则基本判定该MOS管损坏.请在量测前(一定不能上電)对该MOS管放电:分别短路G极与S极,G极与D极,D极和S极各一次(其中以短路G极与S极為主要).集成电路定义：集成电路是指把电路中的半导体器件，电阻，电容及导线制作在一块半导体基片（芯片）上，并封装在一个壳体内所构成的完整电路。优点：集成电路具有重量轻，体积小，功耗低，成本低，可靠性高和工作速度快等优点。符号：集成电路芯片在电路中通常用字母“U”表示。封装方式：DIP，QFP，PGA，BGA，CSP，CGALGA，ZIF，SOP，PFP，TSOP等.集成电路主板上常见的集成电路88E1116网卡3110DriverALC883声卡ADP3198电源管理芯片.集成电路主板上常见的集成电路图集还有南桥，北桥等BGA芯片75232COM口控制芯片LM324集成运算放大电路JMB360外接SATA控制器.电子元件在电路中的作用(一)较高的输入电压(+12V）通过扼流电感(Lin)和电容(Cin)加在HighSideMOS上，High-sideMOS在PWM（脉冲宽度调节芯片PulseWidthModulation）芯片的控制下导通，电流再流过HighsideMOS，通过输出电感(Lout)加在负载上并为输出电容(Cout)充电(此时LowsideMOS关闭).随后HighSideMOS关闭，LowsideMOS导通，电感通过LowsideMOS与负载形成回路。电感是磁性储能元件，电容通过刚才的充电储能和电感共同为负载提供电能(此时HighSideMOS关闭).多相设计是数个单相电路的叠加(并联),能提供很高的电流输出，还能稳定输出电压和电流强度..电子元件在电路中的作用(二）当3VSBswitch为Low时,S3状态下PQ1C极为High,PQ26截止,PQ28导通,3V_Dual使用3VSB电压当3VSBswitch为High时,S0/1状态下PQ1C极为Low,PQ26导通,PQ28截止,3V_Dual使用3V电压当3VSBswitch为High时,S5状态下PQ1C极为Low,12V=0,PQ26截止,PQ28截止,3V_Dual为0V电压..感谢亲观看此幻灯片，此部分内容来源于网络，如有侵权请及时联系我们删除，谢谢配合！